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©2023Science图4.热传输、进疆无量纲品质因数ZT和发电。由于其强键非谐性，不同具有极低的热导率。
证明了Cu可以填充Sn空位以削弱缺陷散射并提高载流子迁移率，海外从而促进功率因数超过约100mWcm−1K−2，海外并且在300开尔文下无量纲品质因数（ZT）为约1.5，在300至773K下平均ZT约2.2。三、走网友【核心创新点】1.实现了高性能的发电和珀耳帖冷却SnSe晶体使用晶格平面化策略。北航赵立东教授和秦炳超教授团队受结构材料研究中成分平坦化概念的启发，进疆提出了晶格平面化策略，进疆即使用适当数量的非本征原子来操纵本征缺陷并促进载流子输运，从而实现具有更平面（平面化）晶格的高性能热电器件。
不同©2023Science图2.SnCuxSe的电输运性质。2.此外，海外占据晶格中的Sn位置的Cu有效地调制晶体结构，从而促进多带合成并进一步优化有效质量m*和m。
走网友协同优化的电输运导致PF大大增强。
©2023Science五、进疆【成果启示】 本文开发了一种晶格平坦化策略来操纵p型SnSe晶体中的本征缺陷。原文详情：不同南开大学陈永胜Adv.Mater.：不同原位制备高性能石墨烯/双极性聚合物杂化电极4. 兰州大学张强强教授最新AdvMater：具有可调负热膨胀的轻质3D石墨烯超材料在这项研究中，兰州大学张强强教授课题组通过化学交联有序组装2D石墨烯基元，并在正交双梯度温度场调控下，采用双曲取向冷冻的策略制备了一种具有可调负热膨胀性能的3D石墨烯超材料(GM)。
Co3Se4/HG材料兼具出色的倍率性能和循环性能，海外在5.0Ag-1下容量达到519.5mAhg-1，在2.0Ag-1下循环1000次后仍能保持464.3mAhg-1。这些研究结果展示了分子石墨烯如何直接从溶液中产生异常干净的电子器件，走网友并且电子特征的尖锐性为在原子精确的石墨烯纳米结构中利用自旋和振动性质提供了新的道路。
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